IPW65R095C7 MOSFET

结果: 3
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWERNEW
数据表
678库存量
¥66.8395
¥44.748
¥35.9792
¥31.8434
¥28.2839
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
479库存量
¥63.7772
¥33.5045
¥30.849
¥28.6229
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 19 周
¥63.4382
¥33.6627
¥30.9394
¥26.3855
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Tube