跳到主内容

TTI Family of Specialists旗下成员联系贸泽（上海）免费电话: 400-821-6111反馈

更改位置中文¥ RMB

免费电话: 400-821-6111 更改位置

现货

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

IPW65R110CFD MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 6

已应用过滤器:

安装风格

封装 / 箱体

晶体管极性

通道数量

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

最小工作温度

最大工作温度

Pd-功率耗散

通道模式

资格

商标名

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格	商标名	封装
	MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 IPW65R110CFDA Infineon Technologies 1: ¥69.3142 529库存量	制造商零件编号 IPW65R110CFDA Mouser 零件编号 726-IPW65R110CFDA	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	529库存量	¥69.3142 ¥46.4091 ¥37.3013 ¥33.0864 ¥29.6173	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	31.2 A	99 mOhms	20 V	3.5 V	118 nC	- 40 C	+ 150 C	277.8 W	Enhancement	AEC-Q100	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 IPW65R110CFDAFKSA1 Infineon Technologies 1: ¥69.3142 13库存量 480预期 2027/6/17	制造商零件编号 IPW65R110CFDAFKSA1 Mouser 零件编号 726-IPW65R110CFDAFKS	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	13库存量 480预期 2027/6/17	¥69.3142 ¥41.4371 ¥31.7643 ¥29.6173	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	31.2 A	99 mOhms	20 V	3.5 V	118 nC	- 40 C	+ 150 C	277.8 W	Enhancement	AEC-Q100	CoolMOS	Tube
	MOSFET HIGH POWER_LEGACY IPW65R110CFDFKSA2 Infineon Technologies 1: ¥62.4551 无库存交货期 13 周	制造商零件编号 IPW65R110CFDFKSA2 Mouser 零件编号 726-IPW65R110CFDFKS2	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_LEGACY 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	无库存交货期 13 周	¥62.4551 ¥33.1655 ¥30.4422 ¥26.3064	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	31.2 A	110 mOhms	20 V	4 V	118 nC	- 55 C	+ 150 C	277.8 W	Enhancement			Tube
	MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2 IPW65R110CFD Infineon Technologies 受限供货情况停产	制造商零件编号 IPW65R110CFD Mouser 零件编号 726-IPW65R110CFD 停产	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	31.2 A	99 mOhms	20 V	3.5 V	118 nC	- 55 C	+ 150 C	277.8 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPW65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies 受限供货情况 NRND	制造商零件编号 IPW65R110CFD7XKSA1 Mouser 零件编号 726-W65R110CFD7XKSA1 NRND	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Si																	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPW65R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥47.0645 88库存量寿命结束	制造商零件编号 IPW65R125CFD7XKSA1 Mouser 零件编号 726-W65R125CFD7XKSA1 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW	数据表	88库存量	¥47.0645 ¥26.6341 ¥22.1706 ¥22.0802 查看 ¥22.0011 ¥21.6734 报价	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	19 A	125 mOhms	20 V	4.5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	98 W	Enhancement			Tube