IPW65R125C7

Name: Infineon IPW65R125C7
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW65R125C7
Price: 45.16 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IPW65R125C7

制造商编号：

IPW65R125C7

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET HIGH POWER_NEW

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

IPW65R125C7 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	18 A
Rds On-漏源导通电阻:	111 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	35 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	101 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolMOS
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	8 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	15 ns
系列:	CoolMOS C7
工厂包装数量:	240
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	71 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
零件号别名:	SP001080138 IPW65R125C7XKSA1
单位重量:	6 g

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已选择的属性: 0

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数据表

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EOL

Product Discontinuance Notification 2024-09-13 (PDF)

Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolMOS™ 7超级结MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7超级结MOSFET为能源效率、功率密度和简单易用设立了新标准。CoolMOS 7技术针对特定应用进行优化，采用创新的封装，集成了各种技术。CoolMOS 7 MOSFET非常适合用于让电动汽车充电站更小巧、输出更高、充电更快的应用。由于CoolMOS 7的出现，新一代适配器和充电器更小巧、更轻盈、更高效。通过CoolMOS 7，工程师可以让可再生能源系统更经济、更高效。