IPW65R150CFD MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY 166库存量
¥43.2564
¥21.922
¥20.0123
¥17.0404
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 22.4 A 150 mOhms 20 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 195.3 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3 371库存量
¥48.0589
¥24.5662
¥19.5264
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 150 mOhms 20 V 3.5 V 86 nC - 40 C + 150 C 195.3 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 135 mOhms 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 150 C 195.3 W Enhancement CoolMOS Tube