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IPZ65R065C7 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPZ65R065C7 Infineon Technologies 1: ¥87.6767 无库存交货期 52 周	制造商零件编号 IPZ65R065C7 Mouser 零件编号 726-IPZ65R065C7	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet 的信息	数据表	无库存交货期 52 周	¥87.6767 ¥61.9579 ¥51.6184 ¥45.991 报价报价	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	33 A	58 mOhms	20 V	3 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPZ65R065C7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥82.0493 913在途量	制造商零件编号 IPZ65R065C7XKSA1 Mouser 零件编号 726-IPZ65R065C7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet 的信息	数据表	913在途量订单发货日期制造商编号： IPZ65R065C7XKSA1 库存： 0 在途量: 433 预期 2026/11/12 480 预期 2026/11/19 生产周期： 52 周	¥82.0493 ¥50.4545 ¥46.6464 ¥43.5954	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	33 A	58 mOhms	20 V	3 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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