IRF150DM115 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies IRF150DM115
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
数据表
N/A
Si SMD/SMT WG-WDSON-5 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 11.3 mOhms 20 V 3.8 V 33 nC - 40 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
数据表
726库存量
剪切带
¥43.3468
¥22.4192
¥20.3513
¥17.6958
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卷轴
¥15.5488
最低： 1
倍数： 1
: 4,800
Si SMD/SMT WG-WDSON-5 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 11.3 mOhms 20 V 3.8 V 33 nC - 40 C + 150 C 78 W Enhancement OptiMOS DirectFET Reel, Cut Tape