IRF150P220 MOSFET

结果: 2
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装

Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
数据表
N/A
Si Tube


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
数据表
1,531库存量
1,200预期 2026/12/31
¥92.6374
¥51.6975
¥47.7312
¥46.8159
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube