IRF200B211

942-IRF200B211
IRF200B211

制造商：

说明：
MOSFET TRENCH >=100V

寿命周期:
停产
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
交货限制:
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RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
12 A
170 mOhms
20 V
3 V
15.3 nC
- 55 C
+ 175 C
80 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6.5 ns
正向跨导 - 最小值: 13 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9.5 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 11.3 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

供货情况

库存：

可能的更换

Infineon Technologies IRFB4020PBF
Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
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