IRF40B207

Name: Infineon IRF40B207
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF40B207
Price: 14.13 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

942-IRF40B207

制造商编号：

IRF40B207

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET TRENCH <= 40V

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

IRF40B207 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	95 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	68 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	83 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	StrongIRFET
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	19 ns
正向跨导 - 最小值:	170 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	35 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	25 ns
典型接通延迟时间:	7.8 ns
单位重量:	2 g

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数据表

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EOL

Models

Saber Model - IRF40B207 (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF40B207

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

IRF40B207单N沟道HEXFET™功率MOSFET

Infineon IRF40B207单N沟道HEXFET™功率MOSFET具有增强的结体二极管dV/dt 和dl/dt 能力。该MOSFET具有提高的栅极、雪崩和动态dv/dt 强度。该MOSFET的典型静态漏-源级导通电阻是3.6mΩ。该功率MOSFET符合RoHS指令，还具有还具有充分特征化的电容以及雪崩安全工作区 (SOA)。应用包括有刷和无刷电机驱动器应用、电池供电电路、半桥和全桥拓扑、电源和电源开关。IRF40B207不含铅，不含卤素，采用TO-220AB 封装。

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥15.9669	¥15.97
	¥9.8423	¥98.42
	¥5.6952	¥569.52
	¥4.6895	¥2,344.75
	¥3.9776	¥3,977.60
	¥3.7403	¥7,480.60
	¥3.4013	¥17,006.50
	¥3.3109	¥33,109.00
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