IRF40H210

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Mouser编号：

942-IRF40H210

制造商编号：

IRF40H210

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET TRENCH <= 40V

寿命周期:

停产

数据表:

IRF40H210 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PQFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	201 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	70 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	StrongIRFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	34 ns
正向跨导 - 最小值:	113 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	25 ns
工厂包装数量:	4000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	65 ns
典型接通延迟时间:	9.2 ns
单位重量:	122.136 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IRF40H210 数据表 (PDF)

Application Notes

EOL

Product Discontinuance Notification (PDF)

Models

Saber Model - IRF40H210 (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF40H210

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

IRF40H210单N沟道HEXFET™功率MOSFET

Infineon IRF40H210单N沟道HEXFET™功率MOSFET具有增强结体二极管dV/dt 和dl/dt 能力。这款40V MOSFET具有提高的栅极、雪崩和动态dv/dt 强度。该MOSFET的典型静态漏-源级导通电阻为1.4mΩ。该功率MOSFET符合RoHS指令，还具有还具有充分特征化的电容以及雪崩安全工作区 (SOA)。应用包括有刷和无刷电机驱动器应用、电池供电电路、半桥和全桥拓扑、电源和电源开关。IRF40H210不含铅，不含卤素，采用PQFN 5mm x 6mm封装。