IRF4104 MOSFET

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
2,225库存量
¥23.4136
¥14.1476
¥11.413
¥9.6728
¥8.5993
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 20 V 50 A 28 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms 无库存
卷轴
¥12.3283
¥11.5825
最低: 800
倍数: 800
: 800
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 44 A 1.4 mOhms 20 V - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
17,857预期 2027/1/7
¥11.9102
¥5.5822
¥4.9494
¥3.8646
¥3.8533
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 49 A 23 mOhms 20 V 1.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 60V 无库存交货期 24 周
¥6.8478
¥6.6331
¥6.3845
最低: 1,000
倍数: 1,000
Si
Infineon Technologies MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC 12库存量
¥26.1369
¥16.9613
¥11.7407
¥10.17
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 5.5 mOhms 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg 22库存量
¥20.1818
¥17.2099
¥8.5202
¥7.4806
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 5.5 mOhms 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Tube