IRF5210S MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC 14,605库存量
46,400预期 2027/2/11
剪切带
¥26.3968
¥13.1193
¥12.8594
¥10.8593
卷轴
¥8.7688
¥8.5767
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 40 A 60 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC 13,953库存量
9,000预期 2027/4/22
¥25.5606
¥15.4697
¥11.3339
¥9.266
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 100 V 40 A 60 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC 1,619库存量
剪切带
¥34.0356
¥22.2384
¥16.2381
¥13.5487
卷轴
¥12.5995
¥11.8989
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 40 A 60 mOhms 20 V 4 V 180 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel