IRF530N MOSFET

结果: 3
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
数据表
17,761库存量
4,800预期 2026/10/29
剪切带
¥20.679
¥11.0853
¥9.3451
¥7.6275
卷轴
¥7.0964
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 17 A 90 mOhms 20 V 4 V 37 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
数据表
11,718库存量
¥10.17
¥4.859
¥4.0906
¥3.164
查看
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 17 A 90 mOhms 20 V 4 V 24.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 100V 14A N-CH MOSFET
数据表
4,900在途量
¥22.0011
¥14.4753
¥10.6672
¥9.4242
¥7.3563
最低： 1
倍数： 1
最大： 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 14 A 160 mOhms 20 V 4 V 26 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Tube