IRF530NS MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC 17,761库存量
4,800预期 2026/10/29
剪切带
¥19.8541
¥11.0062
¥9.0965
¥7.6275
卷轴
¥7.0964
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 17 A 90 mOhms 20 V 4 V 37 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC 11,680库存量
¥10.17
¥4.859
¥4.0906
¥3.164
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 17 A 90 mOhms 20 V 4 V 24.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 100V 14A N-CH MOSFET
8,900在途量
¥22.0011
¥13.4018
¥9.8423
¥8.3507
¥7.119
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 14 A 160 mOhms 20 V 4 V 26 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 100V 14A N-CH
11,690在途量
¥14.8934
¥10.17
¥7.2094
¥6.1246
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 14 A 160 mOhms 20 V 4 V 26 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 100V 14A N-CH MOSFET
1,000预期 2027/4/19
剪切带
¥21.7525
¥10.6672
¥9.5937
¥7.0512
卷轴
¥6.6105
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 14 A 160 mOhms 20 V 4 V 26 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel