IRF540N MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC 14,556库存量
68,641在途量
剪切带
¥24.3176
¥13.899
¥10.9158
¥7.6049
卷轴
¥7.6049
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
54,192在途量
¥13.1532
¥7.4806
¥5.7517
¥4.6782
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 100V 28A N-CH MOSFET 1,782库存量
¥27.0522
¥16.046
¥11.6616
¥9.5146
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 28 A 77 mOhms 20 V 2 V 72 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC 1,706库存量
剪切带
¥19.3569
¥12.3283
¥8.2603
¥6.7009
卷轴
¥6.0003
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms 20 V 4 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp 1,888库存量
¥25.312
¥13.9781
¥11.413
¥9.5146
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 33 mOhms 20 V 1 V 46 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Tube