IRF540Z MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
32,800预期 2026/12/10
¥21.0067
¥13.4809
¥9.1869
¥7.7857
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
54,192在途量
¥13.1532
¥7.4806
¥5.7517
¥4.6782
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 17库存量
¥39.8664
¥27.798
¥26.9618
¥25.1425
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement AEC-Q100 Tube