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RoHS

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IRF5NJ540 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840PBF Vishay Semiconductors 1: ¥21.8316 6,917库存量 13,000预期 2027/5/17	制造商零件编号 IRF840PBF Mouser 零件编号 844-IRF840PBF	Vishay Semiconductors	MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET	数据表	6,917库存量 13,000预期 2027/5/17	¥21.8316 ¥14.1476 ¥11.0062 ¥9.6728 ¥9.0965	最低： 1 倍数： 1 最大： 1,000			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement		Tube
	MOSFET TO220 500V 11A N-CH MOSFET IRFB11N50APBF Vishay Semiconductors 1: ¥28.5325 1,755库存量	制造商零件编号 IRFB11N50APBF Mouser 零件编号 844-IRFB11N50APBF	Vishay Semiconductors	MOSFET TO220 500V 11A N-CH MOSFET	数据表	1,755库存量	¥28.5325 ¥16.6223 ¥13.3227 ¥11.0853 ¥10.4186	最低： 1 倍数： 1 最大： 1,000			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	11 A	520 mOhms	30 V	4 V	52 nC	- 55 C	+ 150 C	170 W	Enhancement		Tube
	MOSFET TO263 500V 11A N-CH MOSFET IRFS11N50APBF Vishay Semiconductors 1: ¥34.7362 1,431库存量	制造商零件编号 IRFS11N50APBF Mouser 零件编号 844-IRFS11N50APBF	Vishay Semiconductors	MOSFET TO263 500V 11A N-CH MOSFET	数据表	1,431库存量	¥34.7362 ¥16.7127 ¥15.2211 ¥13.3227 ¥12.7351	最低： 1 倍数： 1			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	11 A	520 mOhms	30 V	2 V	52 nC	- 55 C	+ 150 C	170 W	Enhancement		Tube
	MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power IRFB7740PBF Infineon Technologies 1: ¥20.679 678库存量寿命结束	制造商零件编号 IRFB7740PBF Mouser 零件编号 942-IRFB7740PBF 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power	数据表	678库存量	¥20.679 ¥18.3625 ¥16.8709 ¥16.1251 查看 ¥7.3563 ¥5.9777 ¥5.6839	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	75 V	87 A	7.3 mOhms	20 V	3.7 V	81 nC	- 55 C	+ 175 C	143 W	Enhancement	StrongIRFET	Tube