IRF640N MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC 33,130库存量
5,600预期 2027/3/18
剪切带
¥17.7862
¥8.9383
¥7.5936
¥5.9777
卷轴
¥5.2545
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC 36,471库存量
8,000预期 2026/10/30
¥17.5376
¥9.0174
¥6.9721
¥5.6274
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC 5,993库存量
4,000预期 2026/12/4
¥11.413
¥5.3223
¥4.7234
¥3.6725
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 9.3 A 300 mOhms 20 V 2 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
1,489库存量
¥28.2048
¥14.3962
¥12.4865
¥11.4921
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC 271库存量
剪切带
¥18.4416
¥11.6616
¥9.266
¥7.2546
¥6.554
¥6.3054
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms 20 V 4 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel