IRF7313TRPBFXTMA1

Name: Infineon IRF7313TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRF7313TRPBFXTMA
Price: 8.42 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IRF7313TRPBFXTMA

制造商编号：

IRF7313TRPBFXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET PLANAR FET

数据表:

IRF7313TRPBFXTMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	6.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	29 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	22 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Dual
下降时间:	17 ns
正向跨导 - 最小值:	14 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8.9 ns
工厂包装数量:	4000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	26 ns
典型接通延迟时间:	8.1 ns
零件号别名:	IRF7313TRPBF SP005876276 SP001562160

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 中国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 2,775

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在途量:: 8,000

预期 2026/12/3
生产周期：: 11

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

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数量	单价	总价
	¥9.5146	¥9.51
	¥4.407	¥44.07
	¥3.9098	¥390.98
	¥3.0171	¥1,508.55
	¥2.938	¥2,938.00
	¥2.7572	¥5,514.40
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
	¥2.2374	¥8,949.60
	¥2.1244	¥16,995.20

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