IRF7470 MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 600V 16A N-CH MOSFET 750库存量
500预期 2028/1/27
¥67.1672
¥43.5954
¥38.2957
¥35.1543
¥28.4534
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 400 mOhms 30 V 2 V 120 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 600V 6.8A N-CH MOSFET 271库存量
¥43.2564
¥23.7413
¥19.6846
¥17.2099
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.8 A 1.2 Ohms 20 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP 无库存
¥168.4943
¥125.8142
¥114.0622
¥97.519
最低: 1
倍数: 1
否
Si Tube

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 600V 11A N-CH MOSFET 420库存量
¥62.037
¥49.8782
¥42.3524
¥38.9624
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 580 mOhms 30 V 2 V 70 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube