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IRF7N1405 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC IRF1405PBF Infineon Technologies 1: ¥22.826 873库存量 2,000预期 2026/11/3	制造商零件编号 IRF1405PBF Mouser 零件编号 942-IRF1405PBF	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC	数据表	873库存量 2,000预期 2026/11/3	¥22.826 ¥11.3339 ¥10.17 ¥8.1473 查看 ¥7.4919 ¥7.3337 ¥7.1981	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	55 V	169 A	5.3 mOhms	20 V	2 V	170 nC	- 55 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Tube
	MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power IRFB7740PBF Infineon Technologies 1: ¥20.679 678库存量寿命结束	制造商零件编号 IRFB7740PBF Mouser 零件编号 942-IRFB7740PBF 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power	数据表	678库存量	¥20.679 ¥18.3625 ¥16.8709 ¥16.1251 查看 ¥7.3563 ¥5.9777 ¥5.6839	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	75 V	87 A	7.3 mOhms	20 V	3.7 V	81 nC	- 55 C	+ 175 C	143 W	Enhancement	StrongIRFET	Tube

IRF7N1405 MOSFET

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