IRF830PBF MOSFET

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
10,132库存量
¥17.2099
¥10.9158
¥9.4242
¥7.5145
¥7.5032
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 4.5 A 1.5 Ohms 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
42库存量
1,000预期 2027/7/9
¥17.2099
¥11.1644
¥7.571
¥6.1359
¥5.4918
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 4.5 A 1.5 Ohms 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRF830PBF
Infineon Technologies MOSFET PLANAR >= 100V
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB 858库存量
¥15.5488
¥9.7632
¥6.4071
¥5.311
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5.3 A 1.5 Ohms 30 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) 16库存量
¥17.2099
¥10.8367
¥7.0964
¥5.6274
¥4.3844
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5.3 A 1.5 Ohms 30 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK 976库存量
¥18.9388
¥11.9102
¥7.8196
¥6.328
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5.3 A 1.5 Ohms 30 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 28.8 W Enhancement Tube