IRF840PBF MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
13,419库存量
5,000预期 2027/5/17
¥22.0802
¥14.1476
¥11.0062
¥9.6728
¥9.0174
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
795库存量
2,000预期 2027/9/10
¥22.7469
¥11.1644
¥10.0118
¥8.9383
¥8.0569
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET PLANAR >= 100V
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 500V 1,701库存量
¥18.7806
¥7.7518
¥6.667
¥6.6557
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.3 A 850 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK 888库存量
¥20.1027
¥12.9046
¥8.8479
¥7.571
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 1 Ohms 30 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube