IRF9530N MOSFET

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC 19,193库存量
剪切带
¥18.9388
¥9.2095
¥8.1812
¥7.8535
卷轴
¥6.2489
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 14 A 200 mOhms 20 V 2.4 V 38.7 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC 42,669库存量
¥13.2323
¥8.7688
¥6.7235
¥5.3562
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 100 V 14 A 200 mOhms 20 V 4 V 38.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 100V 12A P-CH MOSFET
9库存量
2,000预期 2027/4/9
¥21.0067
¥11.0853
¥9.7632
¥7.8874
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 100 V 12 A 300 mOhms 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 100V 12A P-CH MOSFET
8,375在途量
¥17.8653
¥11.0062
¥7.8196
¥6.6105
¥6.5879
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 100 V 12 A 300 mOhms 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 100V 12A P-CH MOSFET
2,400预期 2027/3/8
剪切带
¥29.6173
¥14.8934
¥13.4809
¥10.4186
卷轴
¥9.1869
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-3 P-Channel 1 Channel 100 V 12 A 300 mOhms 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 100V 12A P-CH MOSFET
2,171预期 2026/11/26
¥26.4646
¥14.8934
¥13.4809
¥10.9158
¥10.8367
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 P-Channel 1 Channel 100 V 12 A 300 mOhms 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET P-CHANNEL 100V 无库存交货期 18 周
剪切带
¥27.3008
¥17.7862
¥12.2379
¥10.8367
卷轴
¥10.8367
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-3 Reel, Cut Tape, MouseReel