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IRFB3077PBF MOSFET

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
MOSFET MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg IRFB3077PBF Infineon Technologies 1: ¥40.6913 705库存量零件编号更改	制造商零件编号 IRFB3077PBF Mouser 零件编号 942-IRFB3077PBF 零件编号更改	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg	数据表	705库存量	¥40.6913 ¥21.0067 ¥19.1083 ¥15.7974 查看 ¥15.7183 ¥15.6279	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	75 V	210 A	2.8 mOhms	20 V	1.8 V	220 nC	- 55 C	+ 175 C	370 W	Enhancement		Tube
MOSFET IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFB3077PBFXKMA1 IRFB3077PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: ¥43.6745 2,891库存量	制造商零件编号 IRFB3077PBFXKMA1 Mouser 零件编号 726-IRFB3077PBFXKMA1	Infineon Technologies	MOSFET IR FET >60-400V	数据表	2,891库存量	¥43.6745 ¥28.6229 ¥21.3457 ¥17.9444 查看 ¥17.0404 ¥15.5488	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	75 V	120 A	3.3 mOhms	20 V	4 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	370 W	Enhancement		Tube
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power IRFB7734PBF Infineon Technologies 1: ¥25.9674 178库存量寿命结束	制造商零件编号 IRFB7734PBF Mouser 零件编号 942-IRFB7734PBF 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power	数据表	178库存量	¥25.9674 ¥23.8204 ¥9.1869 ¥8.2716 查看 ¥8.023 ¥8.0117	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	75 V	183 A	3.5 mOhms	20 V	3.7 V	180 nC	- 55 C	+ 175 C	290 W	Enhancement	StrongIRFET	Tube

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