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IRFB3207ZG MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
	MOSFET MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC IRFB3207PBF Infineon Technologies 1: ¥33.0864 102库存量寿命结束	制造商零件编号 IRFB3207PBF Mouser 零件编号 942-IRFB3207PBF 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC	数据表	102库存量	¥33.0864 ¥16.7918 ¥15.2211 ¥13.4809 查看 ¥12.0797 ¥11.9893	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	75 V	180 A	3.6 mOhms	20 V	4 V	180 nC	- 55 C	+ 175 C	330 W	Enhancement	Tube
	MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg IRFB3207ZPBF Infineon Technologies 1: ¥33.4141 517库存量零件编号更改	制造商零件编号 IRFB3207ZPBF Mouser 零件编号 942-IRFB3207ZPBF 零件编号更改	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg	数据表	517库存量	¥33.4141 ¥16.9613 ¥15.3906 ¥12.5769 查看 ¥12.3283 ¥11.9102	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	75 V	170 A	3.3 mOhms	20 V	4 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	Tube

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