.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

IRFB3307 MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 3

已应用过滤器:

封装 / 箱体

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

Pd-功率耗散

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
MOSFET MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC IRFB3307PBF Infineon Technologies 1: ¥28.9506 1,096库存量	制造商零件编号 IRFB3307PBF Mouser 零件编号 942-IRFB3307PBF	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 75V 120A 6.3mOhm 120nC	数据表	1,096库存量	¥28.9506 ¥14.5544 ¥13.1532 ¥10.6672 ¥9.8423	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	75 V	120 A	5 mOhms	20 V	1.8 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	Tube
MOSFET IR FET UP TO 60V IRFB3306PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: ¥20.5999 1,458库存量	制造商零件编号 IRFB3306PBFXKMA1 Mouser 零件编号 726-IRFB3306PBFXKMA1	Infineon Technologies	MOSFET IR FET UP TO 60V 了解更多关于Infineon Technologies infineon ir power mosfets 的信息	数据表	1,458库存量	¥20.5999 ¥10.0909 ¥9.0174 ¥7.684 查看 ¥7.3337 ¥6.3167 ¥5.9438 ¥5.9325	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	60 V	16 A	4.2 mOhms	20 V	4 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	230 W	Enhancement	Tube
MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC IRFB3306GPBF Infineon Technologies 1: ¥25.2329 62库存量寿命结束	制造商零件编号 IRFB3306GPBF Mouser 零件编号 942-IRFB3306GPBF 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC	数据表	62库存量	¥25.2329 ¥22.2497 ¥10.9158 ¥9.266 查看 ¥7.8648 ¥7.6953	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	160 A	3.3 mOhms	20 V	4 V	85 nC	- 55 C	+ 175 C	230 W	Enhancement	Tube

IRFB3307 MOSFET

已应用过滤器:

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持