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现货

RoHS

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IRFB4115PBFXKMA1

Infineon Technologies

Mouser编号：

726-IRFB4115PBFXKMA1

制造商编号：

IRFB4115PBFXKMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IR FET >60-400V

数据表:

IRFB4115PBFXKMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220AB-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	104 A
Rds On-漏源导通电阻:	11 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	77 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	380 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
下降时间:	39 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	73 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	41 ns
典型接通延迟时间:	18 ns
零件号别名:	IRFB4115PBFXKMA1 SP005732693

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IRFB4115PBFXKMA1 数据表 (PDF)

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 5,550

库存：: 5,550 可立即发货

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生产周期：: 52 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥34.7362	¥34.74
	¥17.6958	¥176.96
	¥16.046	¥1,604.60
	¥13.1532	¥6,576.60
	¥13.0741	¥13,074.10
	¥12.656	¥25,312.00