IRFB4110G MOSFET

结果: 2
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies IRFB4115PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
数据表
5,560库存量
¥34.7362
¥17.6958
¥16.046
¥13.1532
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最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 150 V 104 A 11 mOhms 20 V 5 V 77 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 9999A
数据表
1,181库存量
¥33.7531
¥25.4815
¥21.5039
¥19.6055
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最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 72 A 3.7 mOhms 20 V 1.8 V 190 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Tube