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IRFB4227 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: ¥31.5157 7,976库存量	制造商零件编号 IRFB4227PBFXKMA1 Mouser 零件编号 726-IRFB4227PBFXKMA1	Infineon Technologies	MOSFET IR FET >60-400V 了解更多关于Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets 的信息		7,976库存量	¥31.5157 ¥15.9669 ¥14.3962 ¥11.7407 查看 ¥11.6616 ¥10.9158 ¥10.17	最低： 1 倍数： 1			Si																Tube
	MOSFET IR FET >60-400V IRFB4127PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: ¥46.9854 2,616库存量 3,000在途量	制造商零件编号 IRFB4127PBFXKMA1 Mouser 零件编号 726-IRFB4127PBFXKMA1	Infineon Technologies	MOSFET IR FET >60-400V 了解更多关于Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets 的信息	数据表	2,616库存量 3,000在途量	¥46.9854 ¥30.7699 ¥22.6678 ¥20.5095 ¥17.8653	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	200 V	76 A	20 mOhms	20 V	5 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement		Tube
	MOSFET IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1 IRFB4229PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: ¥41.7761 748库存量 2,000预期 2026/11/13	制造商零件编号 IRFB4229PBFXKMA1 Mouser 零件编号 726-IRFB4229PBFXKMA1	Infineon Technologies	MOSFET IR FET >60-400V 了解更多关于Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets 的信息	数据表	748库存量 2,000预期 2026/11/13	¥41.7761 ¥27.3799 ¥20.4304 ¥17.7862 查看 ¥15.0516 ¥14.803	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	250 V	46 A	46 mOhms	30 V	5 V	72 nC	- 40 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Tube
	MOSFET Low charge STripFET STP75NF20 STMicroelectronics 1: ¥42.1038 4,980在途量	制造商零件编号 STP75NF20 Mouser 零件编号 511-STP75NF20	STMicroelectronics	MOSFET Low charge STripFET	数据表	4,980在途量订单发货日期制造商编号： STP75NF20 库存： 0 在途量: 1,980 预期 2026/12/4 3,000 预期 2026/12/11 生产周期： 15 周	¥42.1038 ¥21.6734 ¥19.6846 ¥16.2155 查看 ¥15.3002 ¥15.142	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	75 A	34 mOhms	20 V	2 V	84 nC	- 50 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	STripFET	Tube
	MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC IRFB4228PBF Infineon Technologies 1: ¥40.6122 131库存量寿命结束	制造商零件编号 IRFB4228PBF Mouser 零件编号 942-IRFB4228PBF 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC	数据表	131库存量	¥40.6122 ¥38.2166 ¥17.289 ¥14.6448 ¥14.5544	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	12 mOhms	30 V	1.8 V	107 nC	- 40 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Tube
	MOSFET MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg IRFB4127PBF Infineon Technologies 1: ¥42.8496 5,298库存量零件编号更改	制造商零件编号 IRFB4127PBF Mouser 零件编号 942-IRFB4127PBF 零件编号更改	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg	数据表	5,298库存量	¥42.8496 ¥28.1257 ¥21.922 ¥19.9332 ¥18.0348	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	76 A	20 mOhms	20 V	1.8 V	100 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement		Tube