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IRFB4229 MOSFET

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
MOSFET IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1 IRFB4229PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: ¥41.7761 678库存量 2,000预期 2026/11/3	制造商零件编号 IRFB4229PBFXKMA1 Mouser 零件编号 726-IRFB4229PBFXKMA1	Infineon Technologies	MOSFET IR FET >60-400V 了解更多关于Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets 的信息	数据表	678库存量 2,000预期 2026/11/3	¥41.7761 ¥27.3799 ¥20.4304 ¥17.7862 查看 ¥15.0516 ¥14.803	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	250 V	46 A	46 mOhms	30 V	5 V	72 nC	- 40 C	+ 175 C	330 W	Enhancement	Tube
MOSFET IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFB4115PBFXKMA1 IRFB4115PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: ¥34.7362 5,517库存量	制造商零件编号 IRFB4115PBFXKMA1 Mouser 零件编号 726-IRFB4115PBFXKMA1	Infineon Technologies	MOSFET IR FET >60-400V	数据表	5,517库存量	¥34.7362 ¥17.6958 ¥16.046 ¥13.1532 查看 ¥13.0741 ¥12.656	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	150 V	104 A	11 mOhms	20 V	5 V	77 nC	- 55 C	+ 175 C	380 W	Enhancement	Tube
MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC IRFB4228PBF Infineon Technologies 1: ¥40.6122 131库存量寿命结束	制造商零件编号 IRFB4228PBF Mouser 零件编号 942-IRFB4228PBF 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC	数据表	131库存量	¥40.6122 ¥38.2166 ¥17.289 ¥14.6448 ¥14.5544	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	12 mOhms	30 V	1.8 V	107 nC	- 40 C	+ 175 C	330 W	Enhancement	Tube

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