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RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

IRFB4710 MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFB4115PBFXKMA1 IRFB4115PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: ¥34.7362 5,530库存量	制造商零件编号 IRFB4115PBFXKMA1 Mouser 零件编号 726-IRFB4115PBFXKMA1	Infineon Technologies	MOSFET IR FET >60-400V	数据表	5,530库存量	¥34.7362 ¥17.6958 ¥16.046 ¥13.1532 查看 ¥13.0741 ¥12.656	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	150 V	104 A	11 mOhms	20 V	5 V	77 nC	- 55 C	+ 175 C	380 W	Enhancement		Tube
	MOSFET TO220 400V 2A N-CH MOSFET IRF710PBF Vishay Semiconductors 1: ¥16.5432 1,167库存量	制造商零件编号 IRF710PBF Mouser 零件编号 844-IRF710PBF	Vishay Semiconductors	MOSFET TO220 400V 2A N-CH MOSFET	数据表	1,167库存量	¥16.5432 ¥9.3451 ¥6.6896 ¥5.4127 ¥4.9042	最低： 1 倍数： 1 最大： 1,000			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	2 A	3.6 Ohms	20 V	4 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	36 W	Enhancement		Tube
	MOSFET TO220 400V 2A N-CH MOSFET IRF710PBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: ¥16.1251 1,781库存量	制造商零件编号 IRF710PBF-BE3 Mouser 零件编号 78-IRF710PBF-BE3	Vishay / Siliconix	MOSFET TO220 400V 2A N-CH MOSFET	数据表	1,781库存量	¥16.1251 ¥8.2264 ¥5.537 ¥5.1754 ¥4.7121	最低： 1 倍数： 1 最大： 1,000			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	400 V	2 A	3.6 Ohms	20 V	4 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	36 W	Enhancement		Tube
	MOSFET N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A STP120NF10 STMicroelectronics 1: ¥31.2671 1,848库存量 3,000预期 2027/4/16 寿命结束	制造商零件编号 STP120NF10 Mouser 零件编号 511-STP120NF10 寿命结束	STMicroelectronics	MOSFET N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A	数据表	1,848库存量 3,000预期 2027/4/16	¥31.2671 ¥20.3513 ¥14.803 ¥12.4074 查看 ¥11.4921 ¥10.8367	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	10.5 mOhms	20 V	2 V	233 nC	- 55 C	+ 175 C	312 W	Enhancement	STripFET	Tube
	MOSFET MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg IRFB4127PBF Infineon Technologies 1: ¥42.8496 5,288库存量零件编号更改	制造商零件编号 IRFB4127PBF Mouser 零件编号 942-IRFB4127PBF 零件编号更改	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg	数据表	5,288库存量	¥42.8496 ¥28.1257 ¥21.922 ¥19.9332 ¥18.0348	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	76 A	20 mOhms	20 V	1.8 V	100 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement		Tube