IRFB7440G MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W 4,952库存量
¥20.5999
¥11.8311
¥9.0174
¥7.1755
¥6.2602
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.5 mOhms 20 V 1.8 V 135 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB 6,738库存量
¥17.9444
¥8.6897
¥6.9269
¥5.8534
¥5.2319
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 4.2 mOhms 20 V 3.7 V 88 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power 178库存量
¥25.9674
¥23.8204
¥9.1869
¥8.2716
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 183 A 3.5 mOhms 20 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 175 C 290 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC 16库存量
¥29.5269
¥14.8934
¥12.7351
¥10.5881
¥10.0909
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 317 A 1.6 mOhms 20 V 1.8 V 324 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement StrongIRFET Tube