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IRFR9110PBF

Name: Vishay IRFR9110PBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFR9110PBF
Price: 10.98 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

844-IRFR9110PBF

制造商编号：

IRFR9110PBF

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET

数据表:

IRFR9110PBF 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	3.1 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	8.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	25 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	IRFR
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
单位重量:	330 mg

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已选择的属性: 0

                        
Qualification of ASE as an Additional Assembly Site of DPAK Commercial 
Power Mosfets 

DESCRIPTION OF CHANGE: Vishay Siliconix would like to announce the 
approval of Advanced Semiconductor Engineering (ASE) plant located in 
Weihai, China as an additional assembly facility for DPAK, MOSFET 
devices. 

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0614-3