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IRFG9110 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
	MOSFET TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET IRFR9110PBF Vishay Semiconductors 1: ¥12.4074 4,508库存量 3,000预期 2026/10/28	制造商零件编号 IRFR9110PBF Mouser 零件编号 844-IRFR9110PBF	Vishay Semiconductors	MOSFET TO252 100V 3.1A P-CH MOSFET	数据表	4,508库存量 3,000预期 2026/10/28	¥12.4074 ¥7.5597 ¥6.2828 ¥5.198 查看 ¥4.8929 ¥4.4635	最低： 1 倍数： 1 最大： 3,000			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	100 V	3.1 A	1.2 Ohms	20 V	4 V	8.7 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	Tube
	MOSFET MOSFT 9999A IRFI4110GPBF Infineon Technologies 1: ¥33.7531 1,181库存量寿命结束	制造商零件编号 IRFI4110GPBF Mouser 零件编号 942-IRFI4110GPBF 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 9999A	数据表	1,181库存量	¥33.7531 ¥25.4815 ¥21.5039 ¥19.6055 查看 ¥18.2834 ¥17.2099	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	72 A	3.7 mOhms	20 V	1.8 V	190 nC	- 55 C	+ 175 C	61 W	Enhancement	Tube

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