IRFI610G MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET 1,629库存量
¥30.7699
¥15.0516
¥13.4018
¥10.9158
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 5.9 A 400 mOhms 20 V 2 V 43 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 200V 4.1A N-CH MOSFET 2,441库存量
¥20.8485
¥11.5825
¥9.0965
¥7.7179
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 4.1 A 800 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 250V 328库存量
¥20.1027
¥12.9046
¥8.8479
¥7.571
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 2.1 A 2 Ohms 20 V 2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 250V 1,014库存量
¥27.5494
¥17.8653
¥12.3283
¥10.7576
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 5.6 A 450 mOhms 20 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube