您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

IRF150P220AKMA1

Name: Infineon IRF150P220AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRF150P220AKMA1
Price: 81.98 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IRF150P220AKMA1

制造商编号：

IRF150P220AKMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IFX FET >100-150V

数据表:

IRF150P220AKMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies IRF150P220AKMA1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	203 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.6 V
Qg-栅极电荷:	160 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	556 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	400
子类别:	Transistors
零件号别名:	IRF150P220 SP005537809

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IRF150P220AKMA1 数据表 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

100 V至150 V StrongIRFET™功率MOSFET

英飞凌100V至150V StrongIRFET™功率MOSFET经过优化，具有低导通电阻（R_DS(on)）和高电流能力。在100V时，此系列器件可提供低至1.3mΩ的R_DS(on) 和高达209A的电流处理能力。这些特性可降低导通损耗并提高功率密度，同时仍可适应传统设计。StrongIRFET功率MOSFET非常适合用于需要高性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合涵盖了广泛的应用，包括DC电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。

StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low R_DS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.