IRFM460 MOSFET

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
1,536库存量
¥24.3176
¥15.5488
¥13.2323
¥11.2548
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
1,489库存量
¥28.2048
¥14.3962
¥12.4865
¥11.4921
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
2,225库存量
¥23.4136
¥14.1476
¥11.413
¥9.6728
¥8.5993
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 20 V 50 A 28 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 10A
1,295库存量
8,000预期 2026/10/21
¥15.4697
¥10.9158
¥7.3337
¥5.8195
¥5.1754
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 60V 无库存交货期 24 周
¥6.8478
¥6.6331
¥6.3845
最低: 1,000
倍数: 1,000
Si

Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP 无库存
¥168.4943
¥125.8142
¥114.0622
¥97.519
最低: 1
倍数: 1
否
Si Tube