IRFN240 MOSFET

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
1,489库存量
¥28.2048
¥14.3962
¥12.4865
¥11.4921
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 17A
6,288库存量
¥17.6958
¥10.5881
¥7.797
¥6.1246
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 100 mOhms 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
1,536库存量
¥24.3176
¥15.5488
¥13.2323
¥11.2548
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
2,225库存量
¥23.4136
¥14.1476
¥11.413
¥9.6728
¥8.5993
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 20 V 50 A 28 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC 3,187库存量
20,000预期 2026/11/26
剪切带
¥14.4753
¥8.9383
¥4.9833
¥4.0228
¥3.503
卷轴
¥3.503
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
: 2,500
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 55 V 5.1 A 57.5 mOhms 20 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 200V 20A N-CH MOSFET
6,353在途量
¥40.5331
¥23.0746
¥18.6902
¥14.9725
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 20 A 180 mOhms 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 60V 无库存交货期 24 周
¥6.8478
¥6.6331
¥6.3845
最低: 1,000
倍数: 1,000
Si

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 250V 15A N-CH MOSFET 454库存量
¥41.0303
¥25.3911
¥20.1818
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 15 A 280 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube