IRFN340 MOSFET

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC 11,625库存量
¥10.509
¥4.3618
¥3.3674
¥2.7346
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 26 A 40 mOhms 20 V 1.8 V 22.7 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
6,917库存量
13,000预期 2027/5/17
¥21.8316
¥14.1476
¥11.0062
¥9.6728
¥9.0965
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
4,478库存量
9,000预期 2026/10/21
¥23.2441
¥12.2379
¥10.2604
¥8.7688
¥7.6953
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 8A N-CH MOSFET 11,148库存量
¥31.4366
¥15.8765
¥14.2267
¥11.8311
¥9.5146
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 400V 10A N-CH MOSFET
1,454库存量
¥35.5724
¥18.1139
¥16.4641
¥13.4809
¥13.4018
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
392库存量
¥25.6397
¥14.2267
¥12.4074
¥10.2604
¥9.5937
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components MOSFET TO263 500V 8A N-CH MOSFET
无库存交货期 18 周
¥36.725
¥24.069
¥17.9444
¥15.0516
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Infineon Technologies MOSFET 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC 16库存量
¥29.5269
¥14.8934
¥12.7351
¥10.5881
¥10.0909
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 317 A 1.6 mOhms 20 V 1.8 V 324 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement StrongIRFET Tube