跳到主内容

TTI Family of Specialists旗下成员联系贸泽（上海）免费电话: 400-821-6111反馈

更改位置中文¥ RMB

免费电话: 400-821-6111 更改位置

现货

RoHS

您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

看到错误？

IRF830ALPBF

Vishay Semiconductors

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

844-IRF830ALPBF

制造商编号：

IRF830ALPBF

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp

数据表:

IRF830ALPBF 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-262-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	500 V
Id-连续漏极电流:	5 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	24 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	74 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	IRF
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
单位重量:	2.387 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IRF830ALPBF 数据表

Application Notes

Power MOSFET Avalanche Design Guidelines

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

VISHAY

SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET

该器件非常适合汽车、电源分配和工业功率控制应用。

了解更多的信息

SiJK5100E N 通道 MOSFET

TrenchFET^® 第五代功率MOSFET，具有100V漏源电压和536W最大功耗。

了解更多的信息

SiEH4800EW 80 V TrenchFET®第四代N沟道MOSFET

采用PowerPAK^® 8mmx8mm BWL封装，导通电阻为0.00115Ω。

了解更多的信息

SiJK140E N 沟道 40 V (D-S) MOSFET

采用TrenchFET^® 第五代功率技术，非常适用于同步整流和自动化。

了解更多的信息

采用PowerPAK® 10x12封装的超结MOSFET

具备先进技术，可优化效率并尽可能降低导通过程中的功率损耗。

了解更多的信息

库存量: 1,148

库存：: 1,148 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 10 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥28.1257	¥28.13
	¥18.2834	¥182.83
	¥12.656	¥1,265.60
	¥10.509	¥5,254.50
	¥9.0965	¥9,096.50