IRFP054N MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 N-CH 60V 70A 6,493库存量
1,500预期 2026/11/12
¥62.2856
¥37.4708
¥27.9562
¥23.4136
¥21.0067
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 14 mOhms 20 V 2 V 160 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC 9,915库存量
¥27.5494
¥16.2155
¥11.4921
¥9.8423
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 8 mOhms 20 V 1.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 N-CH 60V 70A 37库存量
2,000预期 2027/9/6
¥57.7317
¥36.5555
¥28.702
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 9 mOhms 20 V 2 V 190 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC
17,857预期 2027/1/7
¥11.9102
¥5.5822
¥4.9494
¥3.8646
¥3.8533
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 49 A 23 mOhms 20 V 1.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg 22库存量
¥20.1818
¥17.2099
¥8.5202
¥7.4806
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 5.5 mOhms 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Tube