IRFP260N MOSFET

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC 6,412库存量
¥32.5101
¥17.7862
¥15.8765
¥12.8255
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms 20 V 1.8 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC 22,789库存量
¥32.7587
¥16.6223
¥13.9781
¥11.7407
¥11.6616
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 200V 46A N-CH MOSFET 3,146库存量
¥59.3024
¥33.5045
¥31.5157
¥26.4646
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 46 A 55 mOhms 20 V 2 V 230 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 200V 9A N-CH MOSFET 3,167库存量
¥21.4248
¥10.509
¥9.4242
¥7.5484
¥6.7122
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 9 A 400 mOhms 20 V 2 V 43 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET TO247 250V 38A N-CH MOSFET 6,759库存量
4,500预期 2026/11/26
¥59.1442
¥36.9736
¥31.4366
¥28.4534
¥24.9843
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 38 A 75 mOhms 20 V 2 V 210 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp 5,133库存量
¥15.4697
¥10.509
¥7.8761
¥6.1924
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 9 A 400 mOhms 20 V 2 V 31 nC - 65 C + 150 C 75 W Enhancement Tube