IRFP4229 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
数据表
766库存量
¥49.1324
¥25.8092
¥23.5718
¥23.4136
¥21.6734
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 46 mOhms 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 310 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET
数据表
N/A
Si