IRFR3410 MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies MOSFET 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC 7,779库存量
剪切带
¥13.0741
¥6.1924
¥5.5144
¥4.3166
卷轴
¥3.5934
¥3.2996
最低: 1
倍数: 1
最大: 5,000
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 39 mOhms 20 V 4 V 37 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC 3,424库存量
3,000预期 2026/11/26
剪切带
¥14.0572
¥6.6444
¥5.9212
¥5.4466
卷轴
¥3.9663
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 34 mOhms 20 V 4 V 37 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC 22,429库存量
¥8.9383
¥6.0003
¥4.8025
¥3.955
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 55 V 17 A 100 mOhms 20 V 4 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Tube