IRFR3710Z MOSFET

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg 33,892库存量
剪切带
¥21.7525
¥10.6672
¥9.5937
¥7.684
¥7.3676
卷轴
¥6.7009
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 56 A 18 mOhms 20 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 2,114库存量
剪切带
¥34.3294
¥19.6055
¥15.2211
¥13.1532
¥12.3283
卷轴
¥12.3283
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 56 A 18 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 400V 2A N-CH MOSFET
1,167库存量
¥16.5432
¥9.3451
¥6.6896
¥5.4127
¥4.9042
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 2 A 3.6 Ohms 20 V 4 V 17 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 400V 2A N-CH MOSFET
1,781库存量
¥16.1251
¥8.2264
¥5.537
¥5.1754
¥4.7121
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 2 A 3.6 Ohms 20 V 4 V 17 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
4,883预期 2026/12/7
¥9.9214
¥8.1473
¥5.3562
¥4.2149
¥3.3222
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 3.3 A 1.5 Ohms 20 V 4 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp 663库存量
20,000预期 2027/1/1
剪切带
¥29.4478
¥14.803
¥13.4018
¥10.9158
¥10.8367
卷轴
¥10.0909
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 25 A 30 mOhms 16 V 1 V 52 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel