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RoHS

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IRFR3910 MOSFET

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结果: 4

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
	MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC IRFR3910TRPBF Infineon Technologies 1: ¥13.4809 18,381在途量	制造商零件编号 IRFR3910TRPBF Mouser 零件编号 942-IRFR3910TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC	数据表	18,381在途量订单发货日期制造商编号： IRFR3910TRPBF 库存： 0 在途量: 6,381 预期 2026/11/12 12,000 预期 2027/1/7 生产周期： 8 周	剪切带 ¥13.4809 ¥6.5314 ¥5.4805 ¥4.3053 卷轴 ¥3.1979 查看 ¥3.842 ¥2.9493 ¥2.8024 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	15 A	115 mOhms	20 V	1.8 V	29.3 nC	- 55 C	+ 175 C	52 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg IRFR3710ZTRPBF Infineon Technologies 1: ¥21.7525 33,892库存量	制造商零件编号 IRFR3710ZTRPBF Mouser 零件编号 942-IRFR3710ZTRPBF	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg	数据表	33,892库存量	剪切带 ¥21.7525 ¥10.6672 ¥9.5937 ¥7.684 ¥7.3676 卷轴 ¥6.7009 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	56 A	18 mOhms	20 V	4 V	100 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFET MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC IRFR3910TRLPBF Infineon Technologies 1: ¥13.6504 24,373库存量寿命结束	制造商零件编号 IRFR3910TRLPBF Mouser 零件编号 942-IRFR3910TRLPBF 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC	数据表	24,373库存量	剪切带 ¥13.6504 ¥9.7632 ¥7.0286 ¥5.5822 ¥4.9607 卷轴 ¥4.2488 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 3,000			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	15 A	115 mOhms	20 V	1.8 V	29.3 nC	- 55 C	+ 175 C	52 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFET MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC IRFU3910PBF Infineon Technologies 1: ¥14.2267 996库存量寿命结束	制造商零件编号 IRFU3910PBF Mouser 零件编号 942-IRFU3910PBF 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC	数据表	996库存量	¥14.2267 ¥6.2941 ¥5.6274 ¥4.6895 查看 ¥3.955 ¥3.9437 ¥3.8646 ¥3.6612	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	100 V	16 A	115 mOhms	20 V	4 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	79 W	Enhancement	Tube