IRFR5410 MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC 519库存量
3,000预期 2027/10/7
剪切带
¥16.9613
¥8.1586
¥7.2998
¥5.7856
¥5.65
卷轴
¥4.7008
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 13 A 205 mOhms 20 V 4 V 38.7 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC 15,274库存量
12,840预期 2026/10/30
剪切带
¥12.6786
¥5.9438
¥5.2771
¥4.1245
卷轴
¥3.4126
¥3.0962
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 13 A 205 mOhms 20 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET PLANAR FET 15,141库存量
剪切带
¥20.5999
¥10.0909
¥9.0174
¥7.2094
卷轴
¥6.2037
最低: 1
倍数: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 55 V 5.1 A 65 mOhms, 65 mOhms 20 V 1 V 29 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT PCh -100V 13A 205mOhm 38.7nC 8,382库存量
剪切带
¥20.4982
¥13.0289
¥8.7688
¥7.119
卷轴
¥5.9551
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 13 A 205 mOhms 20 V 2.4 V 58 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel