IRFR9024N MOSFET

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT PCh -55V 11A 175mOhm 12.7nC 10,126库存量
剪切带
¥12.3283
¥5.7856
¥5.1415
¥4.0228
卷轴
¥3.1979
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 55 V 11 A 175 mOhms 20 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC 17,861库存量
13,900预期 2026/11/20
剪切带
¥12.3283
¥5.7856
¥5.1415
¥4.0228
卷轴
¥3.2883
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 55 V 11 A 175 mOhms 20 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO252 P-CH 60V 8.8A
5,702库存量
剪切带
¥15.4697
¥9.7632
¥6.3845
¥5.0624
卷轴
¥4.1019
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms 20 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO252 P-CH 60V 8.8A 8,473库存量
¥23.6622
¥10.9158
¥8.8479
¥7.5145
¥7.4015
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp 7,024库存量
¥13.4809
¥8.5202
¥6.5766
¥5.5935
¥5.1867
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC 6,188库存量
¥10.7576
¥6.8026
¥4.4861
¥3.5256
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 55 V 12 A 175 mOhms 20 V 4 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube