IRFZ34NS MOSFET

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC 22,394库存量
¥8.9383
¥6.0003
¥4.8025
¥3.955
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 55 V 17 A 100 mOhms 20 V 4 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC 11,625库存量
¥10.509
¥4.3618
¥3.3674
¥2.7346
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 26 A 40 mOhms 20 V 1.8 V 22.7 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC 5,375库存量
6,400预期 2026/12/3
剪切带
¥29.5269
¥14.803
¥13.4018
¥11.5825
卷轴
¥9.6728
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 55 V 19 A 100 mOhms 20 V 1 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 P-CH 60V 12A 798库存量
¥33.335
¥16.9613
¥14.8934
¥12.9046
¥12.4865
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 140 mOhms 20 V 4 V 34 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N CHAN 60V
4,013库存量
¥21.0067
¥13.4809
¥9.1869
¥7.7744
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 50 mOhms 20 V 4 V 46 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) 14库存量
¥20.5095
¥13.1532
¥9.0174
¥7.7179
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 50 mOhms 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement